3D图像传感器捕获图像的方式主要分为三种技术：立体视觉、结构光和飞行时间（ToF）。ToF进一步分为两种技术，包括测量相位差的IndirectToF（iToF）和测量时间差的DirectToF（dToF）。

LiDAR系统基于直接飞行时间和间接飞行时间等各种测量技术。射出的超短激光脉冲经过物体反射后被检测到，通过扫描环境和测量激光脉冲的传播时间，可得出三维深度图。结合创建地图等技术，清洁机器人从事室内清洁工作时可以行走自如，工业机器人则可以识别工人，防止有害的交互行为。

直接直接飞行时间(dToF)

红外光源发出符合人眼安全标准的高功率极窄脉冲时间选通器根据信号从反射源返回的时间来计算与物体之间的距离可使用多种探测技术（PIN、APD、SPAD）扫描照明场景分辨率取决于脉冲宽度

间接飞行时间(iToF)

光源发出占空比（脉冲序列）为50%的连续脉冲漫射器将光束调整均匀照亮目标专用检测器阵列检测出两个相位之间的时间相移检测器测量脉冲序列的延迟和移位，分辨率小于脉冲宽度

结构光

红外光源将某种已知光结构投射到环境中（点、条和图形）传感器镜片涂有高分辨率红外带通滤光膜，形成图像点结构对传感器获得的图像形变进行深度分析

两种ToF技术：iToF和dToF

iToF方案并不直接测量飞行时间，通常做法是把发射的光波调制成一定频率的周期性信号，通过测量发射信号和该信号经过被测物反射回来到达接收端时的相位差，间接计算出光的飞行时间。尽管使用现有的光电二极管（PD）组件比较容易实现，但是由于光电探测器的效率低，很难测量到相距几米以上物体的距离。

iToF的优点是原理、集成较简单、技术较成熟；缺点是精度随距离下降严重、功耗大、易受干扰。目前，华为、OPPO、vivo等厂商普遍采用此方案。

dToF方案则是通过发出短脉冲光然后测量发射的光返回所需的时间来检测与物体的距离。相对iToF来，dToF的发射端通常使用纳秒甚至皮秒级的短脉冲激光，此外dToF需要探测器在光子到达时刻立刻做出反应，因此接收端通常选择SPAD（单光子雪崩二极管）或者APD（雪崩光电二极管）这类适合进行事件记录的传感器。

dToF的优点是测量精准、响应快速、低功耗以及多物体同步检测准确；缺点是工艺较复杂，集成难度高。

智能手机中的3D图像传感器的数量显著增加，但它们大部分都安装在手机的背面，因为这样使用应用程序比正面更灵活。安装在背面的3D图像传感器应该能够测量5到10米以上的距离，因此有竞争力的研究基于SPAD的dToF技术非常重要。

dToF：下一代3D图像传感器的关键

LiDAR主要由两部分组成：发射端和接收端。其中，垂直腔面发射激光器（VCSEL）作为发射端，向物体发射一束红外光，经反射被CMOS图像传感器接收，光束经历的这一段时间就是所谓的“飞行时间（ToF）”。

对于AR体验来说，LiDAR激光雷达扫描仪的加入可谓是至关重要。具体来说，LiDAR激光雷达扫描仪通过测量周围环境深度信息，可以将3D模型精准附着于地面、墙面或者桌面等任何平面上，并分析整个摄像头视野内的空间位置关系来动态调节模型的光照和阴影，从而让体验更加真实，再也不会尴尬的“穿模”了。

dToF核心组件主要有VCSEL、单光子雪崩光电二极管SPAD以及时间数字转换器（TDC）。dToF会在单帧测量时间内发射和接收N次光信号，然后对记录的N次飞行时间做直方图统计，其中出现频率最高的飞行时间ToF用于计算目标距离。

SPAD（singlephotonavalanchediode，单光子雪崩二极管）这是一种能在ps级的时间内产生响应电流的器件，其工作原理是采用反向偏压的光电二极管，使其工作在超过击穿电压而尚未击穿的很小的一个电压范围内，此时的二极管处在非常敏感的工作区间，因此只要有微弱的光信号即可引发其产生雪崩电流，相应速度极快。TDC（timedigtalconverter，时间数字转换电路）通过与发射端的时间同步，接受到的光信号能够在ps级的时间内产生电流并被TDC探测记录，经过N次的发射与接收，TDC能够记录n次（nN）光飞行时间，于是生成一个关于飞行时间分布的直方图，求其出现频率最大的飞行时间值即为目标值t，z=c*t/2，即得距离。

dToF的技术难点

在具体的实现上，dToF相较于iToF来说难度要大许多。dToF的难点在于要检测的光信号是一个脉冲信号，因此检测器对于光的敏感度比需要非常高。常见的dToF传感器实现是使用单光子雪崩光电二极管（SPAD）。

当将高于击穿电压的电压施加到SPAD时，发生碰撞电离现象，其中巨大的电场使载流子加速，从而使它们与原子发生碰撞，从而增加了从原子释放的自由载流子的数量。这种现象称为雪崩倍增，会导致由图像传感器照亮的光子产生大量的自由载流子。这意味着它可以放大光子并将其识别为更多的光子，即使由于黑暗的环境或远距离发光而实际捕获的光子数量很少。

另外，由于SPAD阵列在光子进入时会发射数字脉冲，因此更容易跟踪飞行时间。此外，它还可以捕获精确的时间差，因此即使在毫米和厘米的范围内，也可以确定精确的深度分辨率。

从器件角度来看，SPAD的集成度要低于普通的CMOS光传感器，因此dToF传感器的2D分辨率传统上较差。

SPAD的结构与APD类似。两者都有PN结，在高电场区因为碰撞电离而发生载流子倍增或雪崩。将电子或空穴注入高电场区，可以触发雪崩。在注入之前，电子空穴对由光子吸收、热噪声或隧穿引发，后两者是暗计数的来源。

雪崩机制

根据光电二极管的I-V特性，可分为太阳能电池模式、光电二极管模式、雪崩模式、盖革模式等几种工作状态，下图是光电二极管分别在明暗条件下的I-V曲线。盖革模式下的光电二极管的增益理论上是无穷的，所以经常被用来进行单光子探测，也称作单光子雪崩二极管（SPAD）。

在盖革模式下，雪崩光电二极管吸收光子会产生电子-空穴对，在高反偏电压产生的强电场作用下电子-空穴对被加速，从而获得足够的能量，然后与晶格发生碰撞，形成连锁效应，结果形成大量的电子-空穴对，引发雪崩现象，电流成指数增长。此时SPAD的增益理论上是无穷的，单个光子就能够使SPAD的光电流达到饱和。

SPAD的特征参数有很多，主要包括光子探测效率、雪崩倍增因子、响应度、暗计数等。

1）光子探测效率：光子入射SPAD后激发雪崩并被检测到的概率称为光子探测效率(PhotonDetectionEfficiency)，是代表SPAD性能的一个重要参数，定义为输出的光生电子-空穴对数目与入射总光子数的比值。

理想情况下的光子探测效率为1，然而实际上并不是所有的光子都可以引发雪崩并被检测到，SPAD表面的反射和吸收不完全都会影响到光子探测效率。

光子探测效率η：

其中P0为入射光功率，IP为光生电子-空穴对形成的光电流，h为普朗克常量，ν为

入射光子频率，e是电子电量。

2）雪崩倍增因子：雪崩倍增因子是指SPAD发生雪崩击穿后的电流与雪崩击穿前的电流的比值，即SPAD的电流增益。雪崩倍增因子在理论上是无穷大的，在雪崩击穿后非常短的时间内电流就能够达到饱和，雪崩倍增因子是由SPAD的反向偏压以及结构决定的，实际测试中，通常能达到十万以上。

3）响应度：用来表示入射光产生的光电流和入射光的功率之间的关系，即光电流与入射光的功率的比值。

其中e为电子电量，η为光子探测效率，λ为光子波长，h为普朗克常量，ν为入射光子频率，c为光速。

入射光子波长影响单光子雪崩二极管的响应度，不同材料的半导体对不同波长的光信号有不同的吸收效果，例如，硅的吸收光谱范围是nm到nm，在短波段具有较高的响应度。而InGaAs吸收光谱范围是nm到nm，在长波段具有较高的响应度。所以在设计SPAD时，要根据所探测光子的波段来选择合适的半导体材料，以获得较高的响应度。

4）暗计数：暗计数是指在单光子探测领域，杂散光（非信号光）和电噪声也会有被单光子探测器认为是有效光信号的可能性，在此领域内，这种误判被称作暗计数，是SPAD性能的一个重要参数。通常情况下，热噪声和隧穿效应都会产生暗载流子，这是主要的噪声来源，暗载流子同样会引发SPAD雪崩，然而检测电路无法将其和入射光引发的雪崩区别开来，从而对他们同样进行计数，因此形成了虚假的光子计数，所以，想办法减少暗计数是SPAD设计过程中很重要的一点。

工作环境温度和反偏电压的大小直接影响暗计数，通常在较低温度的环境下，对SPAD进行测试，来减少由热效应产生的暗载流子。降低偏置电压也能较少暗计数，可是降低偏置电压又会降低探测效率，因此要选择合适的偏置电压，从而在暗计数和探测效率之间折中。

APD和SPAD的主要区别在于雪崩或放电特性。SPAD的反向偏置电压VBIAS超过击穿电压VBD。时就会引发盖革模式。一旦触发，施加在SPAD的VBIAS不变，雪崩持续进行，产生无限的增益，即一个光子引起连续的电流。相比之下，施加于线性模式APD的VBIAS低于VBD。放电一旦开始，就会迅速自淬灭，从而产生有限的电流，因此，APD的增益是有限的。如上所述，单个入射光子可以激活SPAD，从而产生持续的电流。实际上，光子已将SPAD从截止状态切换为开启状态，或者说是从光敏状态切换为对光不敏感的状态（正在进行放电的SPAD不再对光敏感）。这时相当于光开关，但未来要探测到下一个入射光子，有必要通过增加电阻实现猝灭，再次将SPAD重新设置为截止或光敏状态（见图3）。

图3：左图为SPAD与猝灭电阻串联的偏置电路。右上图是IV特性图，解释了SPAD的工作原理，右下图显示了电阻的电压随时间的变化情况。

图3的左图显示了与电阻R串联的反向偏置SPAD。SPAD处于截止状态：没有电流流过，SPAD两端的电压为VBIAS。SPAD处于亚稳定的光敏状态。IV特性曲线（右上图）上的红点表示此状态。由于没有电流流过，所以电阻上的电压VR=0。假设SPAD吸收了一个光子，并在tA触发了盖革模式的放电（见图3的右下图）。电子开始流动，电流迅速增加。根据基尔霍夫电压定律，随着电流增加，电阻两端的电压也增加，而SPAD两端的电压会下降。一旦SPAD电压下降至0~VBD，PN结上的电场不再持续激发碰撞电离，雪崩停止。当VR达到峰值时发生猝灭。随后，SPAD进入恢复阶段：电流减小，SPAD上的电压增加到VBIAS；SPAD再次恢复光敏状态。图3右下图中的电压波形实际上是对单个光子（或暗事件）的相应输出。波形不对称，其特点是上升时间非常短（约1-2ns），下降时间相对较长（约数十至数百纳秒）。

SPAD单光子探测器的原理

单光子雪崩二极管（SinglePhotonAvalancheDiode，SPAD），基于内光电效应，SPAD工作在反向偏置情况下，当PN结反向偏压增大至击穿电压以上时，耗尽区产生极高的电场时，一个被吸收的单光子产生的光电子能够触发自我持续的电离，载流子将被加速到携带足够的动能，通过碰撞电离，将初始的电子-空穴对放大至产生足够大的电流。APD（AvalanchePhotodiode）的这种工作模式，被称为盖革模式（GeggerMode）。

SPAD工作时需要降低工作温度，以减少热噪声造成的暗计数。SPAD在响应光子后，不能自发的停止雪崩，需要将偏压降到击穿电压以下，以响应下一个光子。猝灭过程如图2所示，根据猝灭方式不同，SPAD单光子探测器工作模式主要分为：被动模式、主动模式、门控模式。

图2猝灭过程

1.被动模式

当SPAD响应光子时，Rq两端电压不断上升，直到二极管两端的压降小于击穿电压，便能够使二极管恢复到雪崩前状态再进入盖哥模式，等待下一次光子到来。图3为被动模式工作等效电路图，可见信号的上升时间为tr=Rs×Cd，Rs为SPAD的等效串联电阻，Cd为SPAD的节电容及分布电容的和，下降时间为tf=Rq×Cd，Rq为猝灭电阻。下降时间即为恢复到下一时刻接收光子的时间，假设Cd=1pF，Rq=K，则恢复时间至少为ns，考虑实际分布参数可能更大，该模式限制了探测器的工作速度。

图3被动模式等效电路图

2.主动模式

主动模式通过电路反馈，在SPAD接收光子产生输出后，主动将SPAD两端电压下降至击穿电压以下。主动模式可以控制死时间，降低后脉冲的影响。目前商用的被动或主动模式的探测器，基本死时间都在1us以上。

3.门控模式

门控模式，如图4所示，门脉冲GATE幅值最高处，电压高于雪崩击穿电压，而在低电压则低于雪崩击穿电压，不会响应光信号。该方案与时间有严格的关系，所以仅适用于知道光子到达的时间的场合，如量子通信，单光子源测试等。优点则是有效降低暗计数和后脉冲。

图4门控模式

目前市面上也有的成熟产品，如光计数模块SPD_Si，是一款基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖-nm，可作在线性模式和盖革模式。盖模式下增益超过60dB。SPD_Si的性能主动抑制电路，可以实现连续的单光探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。暗计数20-0cps，死时间小于50ns。

下面再看一下大话成像对SPAD的主要实现原理分析

SPAD的主要实现原理

CMOSsensor中的主要感光器件光电二极管(PD)是反向偏置的p-n结。在实际使用中根据反向偏置电压的不同，光电二极管可以工作在三种不同的模式下，即线性模式、比例模式和Geiger模式。下图显示了在不同偏置电压条件下工作的二极管的特性。其中比例模式和Geiger模式合起来就是我们说的雪崩二极管.而Geiger状态就是单电子雪崩模式.而控制这些模式主要是偏置电压的大小

SPAD是PN结工作在Geiger模式下，这种模式下p-n结反向偏置电压在击穿电压(BreakDown)之上。当一个光子被半导体的耗尽区吸收时，它会产生一个电子-空穴对，这个电子-空穴对在电场的作用下分裂和加速。如果电子或空穴的能量足够高，撞击电离就会产生更多的电子-空穴对，引发自我维持的雪崩。当电场强度高于材料的临界场时，载流子的撞击电离就会发生这种雪崩现象。在硅中，临界场Ecr≈3×v/cm。通常一旦雪崩开始一股毫安级的大电流就会流经设备，直到它被摧毁。如下图,因此一般会使用电阻Rq与SPAD串联防止烧毁的情况.这种电阻通常是千欧姆的量级.并行当V-A的阳极电压向过量偏置电压V-EB增加时，它通过将电流降低到小于μA的方式来抑制(quenching)雪崩。抑制(quenching)完成后，开始充电过程，使像素回到空闲模式,进入下一个周期。

抑制和充电电路可以像上面说的只用电阻一样简单。然而，为了提高spad的性能，如死区时间，后脉冲和串扰，一般这部分的设计都是基于有源元件的抑制和充电电路。根据工作模式，猝灭和充电电路基本有四种组合，包括:

Passivequenching,passiverecharge(PQPR)

Passivequenching,activerecharge(PQAR)

Activequenching,passiverecharge(AQPR)

Activequenching,activerecharge(AQAR)

在Geiger模式下，光电二极管的光学增益几乎是无限的，只有雪崩中载流子的数目才会增加。因此，一个振幅为几伏特或毫安的大信号可以在短时间内通过单光子探测产生。如果SPAD的输出连接到电压鉴别器，就能产生一个从逻辑‘0’到‘1’的数字信号输出，表示单个光子的到达。通过将这个数字输出信号连接到时间-数字转换器(TDC)，可以直接测量光子到达时间。

SPAD传感器的一个主要优点是CMOS兼容性，即SPAD和电路可以在同一晶片上实现。这使得SPAD传感器能够受益于CMOS技术的缩放，包括阵列大小、功耗、分辨率、低成本和大规模生产。

下图展示了在nmCMOS工艺中设计的SPAD示例，该示例已在Piccolo和Ocelot中实现。

虽然SPAD的主要特性有一些是和CMOSsensor类似但是还有些是不一样的特性.接下来主要描述了SPAD的主要特性，以帮助理解开发DTOF成像系统的问题和权衡。

1光子探测能力PDP(PHOTONDETECTIONPROBABILITYANDFILLFACTOR)

在传统的CMOS和CCD图像传感器中，检测器的光学灵敏度通常用量子效率(QE)来表示。这简单地表示了入射到产生电子-空穴对的探测器活跃区域的光子的平均百分比。由于光的穿透深度与波长有关.对于SPAD，引起雪崩的光子被视为有效事件。因此，启动概率由两个因素控制，1由QE控制的三角函数载流子的可用性和2由电子-空穴对引发的自维持雪崩的概率，即击穿概率。在SPAD设备中，光子探测概率(PDP)通常用于指示触发雪崩事件的pho-tons的百分比超过在SPAD的多应用区域上照亮的光子数。在一个像素中，我们定义填充因子为检测的交流区域与像素的整体区域的比率。因此，一个术语，光子探测效率(PDE)，通常被定义为触发雪崩事件的光子数比整个SPAD区域被照亮的光子数的百分比，在数学上计算为PDP和填充因子的乘积。

理论上，PDP可以定义为QE与雪崩发生概率的乘积。不同SPAD结构下的PDP随波长的变化如下图所示。

暗计数率(DARKCOUNTRATE)

暗计数是指没有入射光子撞击spad时载波触发的雪崩事件。这些载流子的产生可以分为两个因素，包括由于温度的产生和隧道效应产生的。

DCRdistributionovera×SPADarray,revealinganaverageofcpsandamedianofcps

然而，由于高偏置电压的作用，这些暗电流可能在光信号回来之前引发雪崩，从而导致暗计数。此外，当系统被提供额外的能量时，如温度的影响，产生更多的暗电流，表明强烈的热关联性。其中一种特殊的热机制是陷阱辅助的载流子生成和复合，其中陷阱是由于晶体缺陷和杂质形成的。如上图所示，给出了用×SPAD阵列测量的DCR分布。下图则是和DCR和温度之间的关系

Deadtime

如前文节所述，需要抑制雪崩事件以防止SPAD电流烧毁。抑制操作是通过电阻进行的。在抑制后，一个恢复阶段跟随放电阳极，这使SPAD回到原始的偏置条件下，可以进行下一个光子检测。由于抑制电阻通常为千欧姆，而在抑制节点上看到的电容是在几十飞秒的数量级，放电时间可以从几十纳秒到1歇。因此，在这段时间内，SPAD的光子探测能力大大降低，甚至失效，我们将这段时间定义为死时间。

定时抖动(TIMINGJITTER)

SPADs的主要特性之一是有定时响应的抖动。SPAD输出的前缘表示光子到达的时间。对于给定的飞行时间，SPAD到达时间的静态波动被定义为定时抖动或定时分辨率，典型特征是底层高斯分布的半宽全宽(FWHM)，如下图所示。由于雪崩倍增过程，SPAD会输出尖锐的信号，导致一个极小的时间内的抖动。

造成定时抖动的因素包括雪崩过程和定时pick-up电路。定时抖动的下限由从耗尽区域的产生点开始到倍增区域的载波传输延迟不确定性给出。此外，电离系数与电子和空穴的差异以及雪崩积聚过程的涨落扩大了时序抖动。与PDP类似，定时抖动通常可以通过提高SPAD偏置电压来改善。同时，定时pick-up电路在抖动测量中起着重要的作用。

寄生脉冲(AFTERPULSING)

正如在DCR讨论的，陷阱，如在晶格和杂质中的缺陷，会产生不相关的噪声，以及以寄生脉冲形式存在的相关噪声。在SPAD中，当雪崩发生时，大量载流子将流经耗尽区域而其中一些可能被捕获中心捕获。这如果随后的释放发生在死时间之后，就会触发第二次雪崩，产生与前雪崩脉冲相关的寄生脉冲。

由于主脉冲和寄生脉冲之间的相关性，寄生脉冲概率(AP)可以通过测量相邻SPAD事件之间时间来表征。带有后脉冲的SPAD响应的例子如下图所示

CROSSTALK

另一个相关的噪声源是由邻近SPADs触发的雪崩的CROSSTALK。CROSSTALK的机理可以分为电学CROSSTALK和光学CROSSTALK，如下图所示。

电子CROSSTALK是由于载波交换。当载流子在深准中性区域产生时，例如基底，它们可能横向扩散并引发邻近SPAD的雪崩。由于光的穿透深度强烈地依赖于波长，在红光和近红外范围内预期会有较高的电子串扰。通过将SPAD与硅基衬底隔离，可以减少电子串扰。

另外上面一些属性会随着pixelsize和偏置电压的变化.如下面两张图.

在实际使用中需要根据需求进行SPAD属性的balance.

另外，CMOS集成SPAD阵列也被视为最有希望的低成本解决方案之一。

SiPM组件

过去，传统的激光雷达大多数是采用APD（雪崩光电二极管），而单光子雪崩二极管(SPAD)则是工作在击穿电压上的APD。这意味着，对于极弱光学信号的探测，SPAD是更为理想的选择之一。

SiPM增益能力与SPAD相似，由多个独立且带有淬灭电阻的SPAD组成，可克服单个SPAD不能同时测量多个光子的不足。SPAD及SiPM可探测m、5%反射率目标，不受明亮阳光影响，分辨率极佳。

而SiPM是由多个带有猝灭电阻的SPAD并联组成，每个单元是独立的，最终输出的信号是多个像素输出信号叠加，有幅度变化；如果照射到SiPM的光子数越多，幅度越大。

在进行远距离探测时，SiPM可实现比其它传感器更高的信噪比，主要优点包括高增益，低电压操作，出色的定时性能，高灵敏度（低至单个光子）和对磁场的抵抗力。

此前，SiPM和SPAD工艺已在医疗影像领域有大量应用。按照安森美的说法，相比于APD技术，采用CMOS工艺，可以达到真正的低成本、低功耗，优化尺寸等优势，可实现激光雷达真正落地。

dToF传感器

此外，从读出电路来看，dToF需要能分辨出非常精细的时间差，通常使用TDC来实现。例如如果需要实现1.5cm的测距精度，则TDC的分辨率需要达到10ps，这一点并不容易。

随着近几年深度传感器和LiDAR的发展，dToF也得到了长足的发展。从光传感器像素来看，dToF目前也可以使用CMOS工艺实现，并且已经可以实现不错的2D分辨率。此外，在TDC电路设计方面，随着电路设计的进步，目前在CMOS电路中的TDC的时间分辨率精度也在逐步提升，这也为dToF的普及铺平了道路。

dToF的热点应用

在车载应用中，dToF的关键指标包括测距距离、距离分辨率、2D分辨率以及抗干扰性。由于车载LiDAR对于测距距离（m以上）和抗干扰性的要求，相关的ToF传感器基本是dToF占主导。

同时，dToF传感器有望在机器人和无人机等下一代移动性行业的发展中发挥不可或缺的作用。亚马逊的物流机器人和无人机送货服务就是一个很好的例子。dToF传感器在工厂自动化领域也被认为是必不可少的。

另外，一个重要的领域是消费电子。随着AR/VR等新应用的兴起，消费电子领域对于深度传感器的需求也在快速上升。消费电子领域传统上是iToF的天下，然而随着dToF技术，尤其是高集成度CMOSSPAD的发展，我们看到dToF正在从高端进入消费电子市场。

如前面的技术分析，对于消费电子应用来说，使用dToF的主要优势是可以同时实现较远的测距距离和较高的测距精度，因此当需要把测距距离扩展到10米以上时，dToF有可能会成为更好的选择。

此外由于dToF对于环境光干扰较不敏感，所以使用dToF可以让智能设备的深度传感工作在不同光照强度的场景下。此番苹果iPadpro选择使用dToF，除了在测距精度和抗干扰的考量之外，估计也是因为希望能继续扩大测距范围，从而为下一代AR/VR应用铺平道路。

dToF技术的应用有望推动AR内容的完善，加速消费级AR普及。苹果年便针对开发者们发布了用于iOS设备上AR应用开发的ARKit开发工具，年发布的iPadPro可视为苹果针对5G时代AR领域的进一步布局。

目前iPadPro的LiDAR共呈现出三种典型场景的应用。AR测量、AR游戏和AR装修设计。

AR测量：LiDAR可以快速计算人的身高，并展现垂直和边缘引导线。通过开发者开发的app可实现对物体尺寸、建筑物更精细的测量。AR游戏：LiDAR通过对周围真实环境的扫描和快速获得深度信息能力，为AR游戏开辟了更广阔的设计空间。如

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