MRF可提供一系列使用Czochralski(CZ)、Bridgman或Stepanov方法的晶体生长炉,通常用于种植硅、蓝宝石或半导体锭。典型的布局是垂直水晶拉拔器,具有前开门结构。MRF高温炉以其高度稳定,具有出色的温度均匀性,非常适合生长直径为50mm至mm的实验室晶体。拉拔器控制是高精度和完全可编程的,包括种子旋转。部分电弧熔炉和前装载炉还提供晶体生长附加套件。炉膛具有高真空等级,可在空气、部分压力、真空或惰性气体中运行。最高温度高达°C。MRF还为宝石生长和碳化硅晶体生长等应用构建了多种定制设计。
温度高达°C
标准和定制设计
出色的温度均匀性和梯度
Czochralski(CZ),Bridgman,Stepanov和其他方法
4"或8"完全可编程高精度行程
种子或熔体旋转
陶瓷、石墨或金属热区
在选定的实验室大小的熔炉型号上作为附加套件提供
晶体生长弧熔炉TA-
电弧熔炉TA-我们用Czochralski方法种植实验室晶体的一种低成本晶体生长选项的熔炉。此选项添加用于生长半导体材料(硅、钛和砷化砷)的单晶、金属、盐和合成宝石的所有组件。
该炉采用三个电弧,可熔化°C以上的材料。附着在种子杆上的晶体种子然后下到2英寸(50毫米)的熔炉中,保持熔体。控制装置被编程为拉取生长的晶体。
牵引速度可调节,精确控制至0.mm/min。提供单独的电机来旋转3/8"种子杆,最大拉力高度为7"(mm)。底部熔炉也配有旋转马达。
标准参数
使用Czochralski方法进行晶体生长
可调节牵引速度低至0.mm/min。
7"(毫米)行程
2"(50毫米)熔炉
可调种子杆旋转
三弧熔炉,可快速均匀熔炼至°C
电弧熔炉TA-的可选配置:
旋转炉炉–可编程旋转的熔炉,用于均匀熔化
水晶拉拔器–允许使用Czochralski方法形成单晶
自定义熔体腔–用于自定义熔体形状
高真空套件、涡轮或扩散泵–适用于超纯环境
负载锁定*允许在不破坏腔室气氛的情况下装载其他材料
Splat棒–允许快速分散熔体,提供即时冷却和凝固
氧气监测器?监控气体供应或腔室气体的O2含量
气体净化器–去除工艺气体中的杂质,低于10-6ppm
循环式水冷机–在闭环系统中提供冷却水
吸力铸造–允许通过真空吸力将熔化的材料形成铸件
UPS–在停电期间保持基本部件运行
应用场合
晶体生长
电弧铸造
粉末熔化
退火
熔点确定
合金制造
可熔炉焊接
材料致密化
高纯度熔体
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晶体生长实验炉
标准参数
使用Bridgman,CzochralskiorStepanov方法
可调节牵引速度低至0."/分钟(0.mm/min)
8"行程
可调节种子杆旋转
可轻松安装在我们的4"x8"(mm直径Xmm高)热区前装载炉
包括所有电气、机械和控制部件
可选配置:
晶体生长套件–使用Bridgman,Czochralski或Stepanov方法
迷你热压套件–用于对高达0.5吨的样品加压
Quench套件–将零件滴在液体中,以便对零件进行即时冷却
蒸馏器–将腔室与易失部件隔离,提高温度均匀性
高真空扩散泵送系统–适用于超纯环境
高真空涡轮泵送系统–适用于超纯环境
HMI系统–定制控制系统,配备PC用户友好界面,实现全自动运行和数据采集
高温计和可伸缩TC–用于光学温度测量
部分压力控制–允许将腔室压力控制到可编程设定点
易燃气体系统–在氢气等还原环境中为加热部件增加加热能力
用于闭环冷却的冷机*
O2监视器–用于测量供气或腔室环境的含氧量
气体净化器–用于去除气体供应中的杂质
CE认证–用于向需要CE的国际国家/地区出口
UPS–在停电期间保持基本部件运行
RGA–在真空运行期间分析腔室中的残余气体
石墨、金属或陶瓷热区–实现最大的工艺兼容性
应用场合：
硬化
退火
钎焊
烧结
晶体生长
缓解压力
碳化
渗氮
热处理
热压
金属注塑成型(MIM)
化学气相沉积(CVD)
化学蒸汽喷射(CVI)
陶瓷烧制
淬火
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晶体生长管式炉
标准参数:
管状4"x28"可用热区
空气气氛最高°C
90°连续旋转,带摇动驱动机构
快速淬火机制,可立即冷却
+/-1Deg.C均匀热区
可用配置:
HMI/SCADA控制系统
UPS备用电源
应用场合：
晶体生长
退火
陶瓷烧制
扩散粘接
热处理
渗氮
应力释放
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