首尔国立科技大学发表了Su-Young和Sung-HoonChoa的MDPI论文“ReductionofFluorineDiffusionandImprovementofDarkCurrentUsingCarbonImplantationinCMOSImageSensor”。摘要如下：

最近，市场对高分辨率互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的需求急剧增加。

然而，随着像素尺寸减小到亚微米，图像的质量会下降。尤其是暗电流可以作为一个大的噪源，导致传感器图像质量的降低。氟离子注入通常用于通过降低陷阱态密度来改善暗电流。然而，注入的氟扩散到硅表面的外部并在退火工艺后消失。

文中分析了碳注入对CMOS图像传感器的氟扩散和暗电流特性的影响。由于在FD区域的N+区以5.0×10^14和1×10^15个离子/cm2的剂量注入碳，氟的保留量比未注入碳分别提高了%和%以上，说明碳注入浓度越高，退火后的氟保留量越高。随着保留氟浓度的增加，电子或空穴的少数载流子通过更多的Si-F键形成而减少，导致薄层电阻增加。当以1.0×10^15离子/cm2注入碳时，与未注入碳相比，缺陷像素、暗电流、瞬态噪声和闪烁分别提高了25%、9.4%、1%和28%。因此，通过碳注入可以改善退火后氟的扩散，从而改善暗电流特性。