GB/T半导体器件机械和气候试验方法由44部分组成：

　　第1部分：总则；

　　第2部分：低气压；

　　第3部分：外部目检；

　　第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）；

　　第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验；

　　第6部分：高温贮存；

　　第7部分：内部水汽含量测试和其他残余气体分析；

　　第8部分：密封；

　　第9部分：标志耐久性；

　　第10部分：机械冲击；

　　第11部分：快速温度变化，双液槽法；

　　第12部分：扫频振动；

　　第13部分：盐雾；

　　第14部分：引出端强度（引线牢固性）；

　　第15部分：通孔安装器件的耐焊接热；

　　第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND）；

　　第17部分：中子辐照；

　　第18部分：电离辐射（总剂量）；

　　第19部分：芯片剪切强度；

　　第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响；

　　第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输；

　　第21部分：可焊性；

　　第22部分：键合强度；

　　第23部分：高温工作寿命；

　　第24部分：加速耐湿，无偏置强加速应力试验（HSAT）；

　　第25部分：温度循环；

　　第26部分：静电放电（ESD）敏感度试验，人体模型（HBM）；

　　第27部分：静电放电（ESD）敏感度试验，机械模型（MM）；

　　第28部分：静电放电（ESD）敏感度试验，带电器件模型（CDM），器件级；

　　第29部分：闩锁试验；

　　第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理；

　　第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）；

　　第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的）；

　　第33部分：加速耐湿，无偏置高压蒸煮；

　　第34部分：功率循环；

　　第35部分：塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查；

　　第36部分：恒定加速度；

　　第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法；

　　第38部分：半导体储存器件的软错误试验方法；

　　第39部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量；

　　第40部分：采用张力仪的板级跌落试验方法；

　　第41部分：非易失存储器件的可靠性试验方法；

　　第42部分：温度和湿度贮存；

　　第43部分：集成电路（IC）可靠性鉴定方案指南；

　　第44部分：半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。

　　对半导体器件进行盐雾试验，可以确定半导体器件耐腐蚀的能力。

　　半导体器件盐雾试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。

　　检测范围：工作在海上和沿海地区的器件。（试验为破坏性试验）

　　半导体器件盐雾试验所需设备：

　　1.带有耐腐蚀的支撑器件夹具的温控试验箱；

　　2.盐溶液槽；

　　3.盐液雾化装置，包括合适的喷嘴和压缩空气源；

　　4.高于箱内温度的某温度下，保持空气潮湿的装置；

　　5.1倍~3倍、10倍~20倍的放大镜。

　　试验测试样品需要经过预处理后放到试验箱内进行测试。

　　预处理：在进行盐雾试验前，应按照规定承受弯曲应力的预处理，如果已经作为其他试验进行过，则不需要重新进行弯曲。

　　试验时间：

　　试验条件A，试验时间：24±2h

　　试验条件B，试验时间：48±4h

　　试验条件C，试验时间：96±4h

　　试验条件D，试验时间：±8h

　　从以上四种选取，除另有规定外，应采用试验条件A。

　　试验结束后，应进行清洗，除另有规定外。

　　器件试验后出现这些问题，判据为失效：

　　1.在室内正常照明下，放大1倍~3倍检查，标识模糊。

　　2.腐蚀缺陷面积超过任何封装零件（例如盖板、引线或外壳）镀涂或底金属面积的5%；引线缺损、断裂；放大10倍~20倍检查，完全贯穿零件的腐蚀。

　　相关文件应规定说明内容：

　　1.预处理；

　　2.试验条件；

　　3.清洗程序；

　　4.失效判据；

　　5.样本大小和可接收的数量。

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